Qualcomm et Samsung viennent d’officialiser la nouvelle puce Snapdragon 835 gravée en 10 nm FinFET. Arrivée prévue dès 2017.
Les SoC de Qualcomm, les Snapdragon, sont présents dans un grand nombre de smartphones et tablettes à travers le monde. Aujourd’hui Qualcomm annonce sa nouvelle puce avec le Snapdragon 835.
Pas de Snapdragon 830
Si Samsung est aussi de la partie pour l’annonce, c’est que Qualcomm conçoit ses puces et, pour celle-là, c’est le géant sud-coréen Samsung qui va se charger de la production. Cette dernière sera donc faite avec une taille de gravure de 10 nm avec la technologie FinFET.
Ce n’est pas la première fois que Samsung et Qualcomm travaillent ensemble puisque les SoC Snapdragon 820 et 821 ont été aussi produits par Samsung, mais en 14 nm.
Par contre, cette annonce laisse planer le doute sur l’arrivée effective du Snapdragon 830, sensé être le successeur du Snapdragon 821 dans le haut de gamme de Qualcomm.
Les deux géants n’ont donné aucune indication sur ce fait. D’ailleurs, ils n’ont pas été bavards du tout puisque les seules informations transmises ont été que la puce est 30 % plus petite que la précédente (gravé en 14 nm), avec 27 % de performances en plus et une consommation d’énergie en baisse de 40 %. Aucune donnée sur les coeurs ou le GPU. Ah, si, le 835 supportera la charge rapide Quick Charge 4.0.
On devrait en savoir plus au CES 2017 qui se tiendra à Las Vegas du 5 au 8 janvier prochain et ce SoC sera sûrement présent dans le Galaxy S8 de Samsung pour MWC de Barcelone fin février.
En photo : Keith Kressin de Qualcomm et Ben Suh de Samsung
