Alors que la conférence de Qualcomm est attendue le 6 janvier prochain au CES de Las Vegas, de nouvelles informations sont apparues sur les Snapdragon 835. Et il sera performant.
Le salon CES de Las Vegas va très prochainement ouvrir ses portes et, comme beaucoup de salons, c’est un endroit idéal pour dévoiler de nouveaux produits et de nouvelles technologies. Et Qualcomm devrait logiquement présenter officiellement sa nouvelle puce Snapdragon 835. Mais le twittos Evan Blass (@evleaks), généralement bien informé, a publié beaucoup d’informations sur cette future puce.
Un communiqué de presse leaké ?
Ce qui est étonnant avec la publication d’Eva Blass, c’est qu’elle ressemble à un communiqué de presse. En effet, dans ce post, il « parle » comme si le texte provenait directement de Qualcomm, ce qui est peut-être le cas.
Donc, dans ce « communiqué de presse », nous apprenons que le Snapdragon 835 est bien gravé en 10 nm, est 30 % plus petit que le Snapdragon 820, 40 % plus économe et qu’il serait 27 % plus performant. De quoi offrir de la puissance aux smartphones tout en augmentant l’autonomie de ceux-ci.
Ce SoC serait bien sûr prévu pour les réalités virtuelles et augmentées, procurerait une meilleure performance pour la photo et la vidéo avec la stabilisation optique, la capture de vidéo en 4K.
Côté connectique, ce SoC arriverait avec un modem 4G LTE X16 pouvant atteindre théoriquement le Gigabit avec quatre antennes. Ce modem serait 45 % plus petit que le précédent tout en étant 60 % plus économe.
Et pour finir, le Snapdragon 835 serait prêt pour les intelligences artificielles, la reconnaissance vocale et faciale et inclurait des fonctions avancées de sécurités.
Bref, Qualcomm mettrait sur le marché un SoC complet et puissant, de quoi ravir les utilisateurs exigeants.
