Elpida a annoncé la semaine dernière avoir développé une SDRAM DDR3 de 2 Go gravés en 25 nm. Cette finesse de gravure pour ce type de mémoire est un nouveau record, qui permettra de réduire la taille de ces mémoires de 30 % par rapport au procédé de gravure actuelle de 30 nm. D’autre part, elles seront plus rentables pour le fondeur, car plus de puces (+ 30 %) peuvent être découpées dans le même wafer. Enfin, avantage pour l’utilisateur, les SDRAM de 2 Go de 25 nm d’Elpida consommeront moins d’énergie : – 15% quand la puce est en activité, et – 20 % quand elle est en veille. Le fondeur compte commencer la production de puces de 4 Go avec une gravure de 25 nm à la fin 2011.
Le concurrent de toujours du fondeur nippon, Samsung, n’est pas content de s’être fait brûler la politesse. Il prétend que si la primauté de l’annonce a été faite par les Japonais, les accusant au passage de mettre la charrue avant les bœufs, Samsung qui travaille également sur ce type de mémoire, pourrait bien être capable de commercialiser avant son concurrent japonais les premières puces SDRAM DDR3 de 2 Go de 25 nm. Que le meilleur gagne…
