Intel avait annoncé hier son intention de tenir une conférence de presse exceptionnelle, retransmise en direct depuis San-Francisco. Plusieurs rumeurs quant à la teneur de ce rendez-vous annoncé comme historique circulaient aux quatre coins de la toile, chacun y allant de ses spéculations. Contre toute attente, c’est le bouleversement de la structure ses transistors qui fut au centre du débat.
Ainsi, Intel a présenté sa nouvelle (r)évolution du transistor, le composant microscopique à la base de tout processeur. Pour la première fois depuis l’invention des transistors en silicium il y a plus de 50 ans, des transistors dotés d’une structure tridimensionnelle seront ainsi mis en production de grande série. Baptisés Tri-Gate, et présentés pour la première fois en 2002 dans un microprocesseur (nom de code Ivy Bridge), ils sont gravés en 22 nanomètres. Ces transistors tridimensionnels Tri-Gate représentent l’abandon de la structure planaire bidimensionnelle qui est à la base de non seulement tous les ordinateurs, les téléphones mobiles et l’électronique grand public à ce jour, mais aussi les commandes embarquées à bord des véhicules, de l’avionique, des appareils ménagers, des appareils médicaux, et virtuellement des milliers d’autres appareils depuis des décennies. « Les scientifiques et les ingénieurs d’Intel ont une fois de plus réinventé le transistor, en utilisant cette fois la troisième dimension, explique Paul Otellini, Président et Chief Executive Officer (CEO) d’Intel. Des appareils novateurs et étonnants seront crées à partir de cette capacité qui nous permet de faire progresser la loi de Moore dans de nouveaux domaines. »
Les scientifiques reconnaissent depuis longtemps les avantages d’une structure 3D pour soutenir le rythme de la loi de Moore, à une étape où les appareils et les composants deviennent si petits que les lois de la physique font obstacles aux progrès. La clé de l’avancée annoncée aujourd’hui est la capacité d’Intel à mettre son nouveau transistor 3D Tri-Gate en production de grande série, ce qui marque une nouvelle ère pour la loi de Moore et ouvre la porte à une nouvelle génération d’innovations pour toute une gamme d’appareils. Pour mémoire, la loi de Moore est une prévision pour le rythme de développement de la technologie de silicium qui indique qu’environ tous les deux ans, la densité de transistor doublera, tout en augmentant la fonctionnalité et la performance et en abaissant les coûts. Il est devenu le modèle d’affaires pour l’industrie des semi-conducteurs depuis plus de 40 ans.
Les transistors 3D Tri-Gate d’Intel permettent aux puces de fonctionner à plus faible tension et avec moins de fuite de courant, ce qui débouche sur une combinaison inédite de gains de performances et de rendement électrique par rapport aux précédents transistors. Ces capacités offrent aux concepteurs de puces la souplesse de choisir des transistors en fonction de leur faible consommation ou de leurs fortes performances, selon l’application.
Les transistors 3D Tri-Gate 22 nm affichent ainsi des gains de performances allant jusqu’à 37 % en basse tension par rapport aux transistors planaires 32 nm d’Intel. Ce gain considérable les rend idéaux pour une utilisation dans de petits terminaux de poche, dont le fonctionnement consomme moins d’énergie. Alternativement, les nouveaux transistors consomment plus de moitié moins pour des performances identiques à celles de leurs prédécesseurs 2D planaires sur puces 32 nm. « Les gains de performances et les économies d’énergie qu’affichent les transistors 3D Tri-Gate d’Intel, uniques en leur genre, ne ressemblent à rien de ce qui a déjà été fait, déclare Mark Bohr, Intel Senior Fellow. Cette étape va également plus loin qu’une simple validation continue de la loi de Moore. Les avantages en tension et en consommation électrique dépassent de loin ceux que l’on peut en général obtenir d’une génération de techniques de gravure à une autre. Ils donneront aux concepteurs de produits la flexibilité de rendre les appareils existants plus intelligents et en rendront possible de tout nouveaux. Nous estimons que cette percée viendra encore conforter le leadership d’Intel sur le reste du secteur des semi-conducteurs. »
Le transistor 3D Tri-Gate sera implémenté à l’occasion du passage au prochain procédé de fabrication, la gravure en 22 nm, qui fait référence à la taille de gravure d’un transistor. A titre de comparaison, plus de six millions d’entre deux pourraient loger sur le point qui achève cette phrase.
Intel a fait aujourd’hui la démonstration du premier microprocesseur 22 nm au monde, nom de code Ivy Bridge, sur PC portable, serveur et PC de bureau. Les processeurs Intel Core à base de puces Ivy Bridge seront les premiers à être fabriqués en grande série et à bénéficier de transistors 3D Tri-Gate. Les puces Ivy Bridge sont prévues pour une production de grande série d’ici à la fin de l’année. Enfin, cette percée technologique contribuera aussi à la naissance de processeurs Intel Atom plus fortement intégrés, qui feront évoluer les performances, les fonctions et la compatibilité logicielle de l’architecture Intel tout en répondant aux impératifs globaux de puissance, de coûts et de taille pour toute une série de créneaux.
