Mémoire Flash NAND gravée en « Middle-1Xnm »

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Le coréen Hynix Semiconductor a annoncé une nouvelle génération de mémoire Flash NAND gravé avec une finesse que la compagnie appelle « Middle-1Xnm ». En retard derrière les dernières annonces de ses concurrents (en avril 2011, Intel/Micron annonce être capable de graver des mémoires NAND en 20 nm, et une semaine après, Toshiba/San Disk annonce être arrivé à faire la même chose avec une gravure de 19 nm…), Hynix a annoncé être arrivé également à rejoindre le camp des leaders avec un processus de gravure d’une finesse situé entre 11 nm et 19 nm.

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Pour arriver à cette finesse de gravure, le fondeur coréen a développé des technologies spéciales pour limiter les interférences en faisant varier la tension du courant et en recourant à des espaces sur le film isolant formés d’un peu d’air dans un nouveau type de tableaux de cellules qui composent cette NAND.

Le coréen garde cependant un flou artistique sur le chiffre précis de la finesse de cette gravure. On parle de 15 ou de 16 nm, mais il faudra attendre une annonce plus précise de Hynix. La compagnie devrait produire en masse ses premières mémoires Flash NAND « Middle-1Xnm » durant le 2e semestre 2012.

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