Elpida, le fondeur japonais né de la fusion du business des DRAM de NEC, Hitachi et Mitsubishi, vient d’annoncer avoir réussi une première mondiale : le démarrage d’une ligne de production de mémoires DDR3 gravés en 25 nm.
Contrairement à son concurrent de toujours coréen qui, quelques jours auparavant, avait annoncé quelque chose de proche, mais sans préciser la finesse de gravure, il s’agit de RAM de 4 Go. Samsung, en effet, n’arrive pas à produire encore de RAM de plus de 2 Go avec une telle finesse de gravure (vingtaine de nanomètres), ce que fait déjà le fondeur nippon depuis le début de l’été.
Le procédé développé par Elpida permet de réduire de 45 % la surface de Wafer utilisé par rapport à la production de SDRAM DDR3 de 4 Go gravé en 30 nm, ce qui devrait permettre au fondeur japonais de pouvoir plus facilement résister à une guerre des prix, car le coût de production de ses RAM sera plus économique que celles de la génération précédente. La SDRAM de 4 Go en 24 nm d’Elpida transfère 1 866Mbp minimum par pin de la puce, aboutissant à une consommation électrique en baisse de 25-30 %, et de 30-50 % en veille. La tension de mémoire est de 1,5 V et 1,35 V au repos. La production en masse débutera en décembre.
