Samsung Galaxy S9 : la production du processeur Exynos 8nm va commencer

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La marque sud-coréenne peut désormais lancer la fabrication de son processeur Exynos gravé en 8 nm puisque la technologie FinFET LPP 8 nanomètres a été récemment certifiée. Cette puce équipera le Samsung Galaxy S9.

Samsung Galaxy S9Le géant de la téléphonie mobile a pu obtenir la certification de sa technologie de gravure avec trois mois d’avance. Après l’Exynos 8895 des Samsung Galaxy S8, S8+ et Note 8 gravé en 10 nm, ce processeur va prendre la relève sur le Galaxy S9.

Samsung Galaxy S9 : plus de puissance et moins d’énergie dépensée

La nouvelle puce Exynos est plus compacte que les précédentes donc le constructeur aura de la place pour doter son futur flagship de nouvelles fonctionnalités comme un Face ID « made in » Samsung. L’entreprise veut faire mieux que la reconnaissance d’iris du Galaxy S8. Si l’on suit la logique de la firme sud-coréenne, on devrait avoir le droit en France à ce SoC au lieu du Snapdragon 845 qui serait réservé au marché étasunien (entre autres). Cette puce devrait, quant à elle, être gravée en 7 nanomètres par TSMC.

La production des processeurs gravés en 10 nm FinFET ne s’était pas faite dans les meilleures conditions mais Samsung assure que tout se passera bien cette fois dans la mesure où la gravure en 8 nm est permise par la même technologie.

Pour le moment, nous n’avons pas plus d’informations sur la configuration du Samsung Galaxy S9 mais il devrait sûrement proposer un grand écran borderless d’une définition de 1440 x 2960 pixels, 6 Go de mémoire vive, 64 Go de stockage et un double capteur photo. Il y aura très probablement une version Plus.

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