Technologie BSI CMOS, les capteurs de demain ?

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Toshiba a annoncé un capteur CMOS pour téléphones portables et AppPhones (Android, iOS…) équipé d’un éclairage arrière (Backside Illumination ou BSI). Son pixel pitch est extrêmement fin avec 1,12 µm. Il témoigne de l’intérêt des industriels pour cette technologie, car l’annonce de ce capteur fait suite à celle de Sony qui en janvier avait annoncé la production d’un capteur BSI CMOS aux caractéristiques proches (pixels pitch de 1,12 µm également). Toshiba avait commencé la production d’un capteur BSI CMOS de 14,6 mégapixels pour un pixels pitch de 1,4 µm au 3e trimestre 2010. Toshiba, tout comme Sony, pense que ce genre de capteurs vont être dominants dans les prochaines années pour les modules photos/vidéo des téléphones portables/App Phones, les APN, les Tablettes…

La technologie BSI permet de passer outre le problème numéro un qui arrive lorsqu’on réduit la taille des pixels des capteurs CMOS, à savoir la perte de sensibilité de l’image. En effet, avec le technologie BSI, la lumière provient de l’arrière du capteur et la quantité reçue n’est pas réduite par la couche du capteur qui comporte toutes les connexions.

Le capteur de Toshiba a une taille de ¼ de pouce et dispose de 8,08 mégapixels. Sa cadence d’image s’élève à 30 fps avec une résolution de 8 mégapixels, et de 60 images par seconde en 1080p ou en 720p. Des échantillons seront envoyés aux partenaires OEM à la fin juillet, et la production en masse devrait débuter à la fin 2011, avec un million d’unités produites par mois au début.

BSICMOS 01 - Technologie BSI CMOS, les capteurs de demain ?

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